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  • MMBFJ175LT1G

MMBFJ175LT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.10152
  • 6000$0.09588
  • 15000$0.08742
  • 30000$0.08178
  • 75000$0.07332
描述JFET SS P-CHAN 25V SOT23漏极至源极电压(Vdss)-
漏极电流 (Id) - 最大-FET 型P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V电压 - 切断 (VGS 关)@ Id3V @ 10nA
输入电容 (Ciss) @ Vds11pF @ 10V(VGS)电阻 - RDS(开)125 欧姆
安装类型表面贴装包装带卷 (TR)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大225mW其它名称MMBFJ175LT1GOSMMBFJ175LT1GOS-NDMMBFJ175LT1GOSTR

“MMBFJ175LT1G”技术资料

  • MMBFJ175LT1G的技术参数

    产品型号:mmbfj175lt1g零门极电压最小耗尽电流idss min (?a):7000零门极电压最大耗尽电流idss max (?a):60000门极-源极雪崩电压vgss min (v):30输入电容ciss max (pf):11反向最大传递电容crss max (pf):5.500沟道极性:p封装/温度(℃):3sot23/-55~150价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin ...

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