您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > mmbfj211_q

MMBFJ211_Q

描述射频JFET晶体管 NCh RF Transistor漏极连续电流20 mA
功率耗散225 mW最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel最小工作温度- 55 C

mmbfj211_q的相关型号: