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MMBFJ309_Q

描述射频JFET晶体管 NCh RF Transistor漏极连续电流30 mA
功率耗散350 mW最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel最小工作温度- 55 C

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