描述 | Interface | 晶体管类型 | NPN |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150 mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50 V |
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 130 @ 2mA,6V | 功率 - 最大值 | 200 mW |
频率 - 跃迁 | 80MHz | 工作温度 | -55°C ~ 125°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
【Fairchild Semiconductor】MMBT200,TRANS PNP GP 45V 500MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT200_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MMBT200A,TRANS PNP GP 45V 500MA SOT-23
【ON Semiconductor】MMBT2131T1,Transistors Bipolar (BJT) 700mA 40V PNP
【ON Semiconductor】MMBT2131T1G,TRANSISTOR BIPOLAR PNP 40V SC746
【ON Semiconductor】MMBT2132T3,TRANS SS GP NPN 30V 700MA SC74-6
【ON Semiconductor】MMBT2132T3G,TRANS GP SS NPN 30V 700MA SC74-6