| 描述 | TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1V @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 300MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBT2222AFSTR |
图1中的示意图显示了一个npn/pnp发射跟随器对，其可用于缓冲控制ic的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。 如图2 hfe曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件提供高于0.5a的电流。但是，该电路可提供大大高于0.5a的电流驱动，如图1中的波形所示。就该波形而言，缓冲器由一个50ω源驱动，负载为一个与1ω电阻串联的0.01 uf电容。该线迹显示了1ω电阻两端的电压，因此每段接线柱上的电流为2a.该数字还显示mmbt2222a可以提供大约3a的电流，mmbt3906吸收2a的电流。 事实上，晶体管将与其组件进行配对（mmbt3904用于3906,mmbt2907用于2222）。这两个不同的配对仅用于比较。这些器件还具有更高的电流和更高的hfe, 如fmmt618/718对，其在6a电流时具有100 的hfe（请参见图2）。与集成驱动器不同，分立器件是更低成本的解决方案，且有更高的散热和电流性能。 图2 诸如fmmt618的更高电流驱动器可增强驱动能力（最高：mmbt3904/最低：fmmt618）。 ...
有啊比如说mmbt2222a，飞利浦的。 ...
