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MMBT2484_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 1 uA at 5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel集电极连续电流0.1 A
最小工作温度- 55 C功率耗散225 mW

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