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MMBT3646_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) Switching Transistor NPN直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 30 mA at 0.4 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel集电极连续电流0.3 A
功率耗散625 mW

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