| 描述 | TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 250MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBT3906FSTR |
装）的表示方法 9011 1t 9012 2t 9013 j3 9014 j6 9015 m6 9016 y6 9018 j8 s8050 j3y s8550 2ty 8050 y1 8550 y2 2sa1015 ba 2sc1815 hf 2sc945 cr mmbt3904 1am mmbt3906 2a mmbt2222 1p mmbt5401 2l mmbt5551 g1 mmbta42 1d mmbta92 2d bc807-16 5a bc807-25 5b bc807-40 5c bc817-16 6a bc817-25 6b bc817-40 6c bc846a 1a bc846b 1 ...
p发射跟随器对，其可用于缓冲控制ic的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。 如图2 hfe曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件提供高于0.5a的电流。但是，该电路可提供大大高于0.5a的电流驱动，如图1中的波形所示。就该波形而言，缓冲器由一个50ω源驱动，负载为一个与1ω电阻串联的0.01 uf电容。该线迹显示了1ω电阻两端的电压，因此每段接线柱上的电流为2a.该数字还显示mmbt2222a可以提供大约3a的电流，mmbt3906吸收2a的电流。 事实上，晶体管将与其组件进行配对（mmbt3904用于3906,mmbt2907用于2222）。这两个不同的配对仅用于比较。这些器件还具有更高的电流和更高的hfe, 如fmmt618/718对，其在6a电流时具有100 的hfe（请参见图2）。与集成驱动器不同，分立器件是更低成本的解决方案，且有更高的散热和电流性能。 图2 诸如fmmt618的更高电流驱动器可增强驱动能力（最高：mmbt3904/最低：fmmt618）。 图3显示了一款可使您跨越隔离边界的简单 ...
【Fairchild Semiconductor】MMBT3906_D87Z,TRANS GP PNP 40V 200MA SOT-23-3
【Fairchild Semiconductor】MMBT3906_D87Z_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MMBT3906_NL,TRANS GP PNP AMP SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT3906_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP General Purpose
