| 描述 | TRANSISTOR NPN GP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 600mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 750mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 150mA，1V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】MMBT4400_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MMBT4401,TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT4401_D87Z,TRANS GP NPN 40V 600MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT4401_Q,Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 NPN GEN PUR
