| 描述 | TRANSISTOR GP PNP AMP SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 250 @ 100?A，5V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 40MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MMBT5087TR |
【Fairchild Semiconductor】MMBT5087_Q,Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 PNP GEN PUR
【ON Semiconductor】MMBT5087LT3,Transistors Bipolar (BJT) 50mA 50V PNP
【Fairchild Semiconductor】MMBT5088,TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
【Fairchild Semiconductor】MMBT5088_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
