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MMBT5210_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4.5 V
最大直流电集电极电流：0.1 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose	直流集电极/Base Gain hfe Min	200 at 100 uA at 5 V
配置	Single	最大工作频率	30 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	350 mW

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