您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > mmbt5401lt1g
  • MMBT5401LT1G

MMBT5401LT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.03473
  • 6000$0.0302
  • 15000$0.02567
  • 30000$0.02416
  • 75000$0.02265
描述TRANS SS PNP 150V HV SOT23电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)150VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)50nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 10mA,5V
功率 - 最大225mW频率 - 转换300MHz
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装带卷 (TR)
其它名称MMBT5401LT1GOSMMBT5401LT1GOS-NDMMBT5401LT1GOSTR

“MMBT5401LT1G”技术资料

  • MMBT5401LT1G的技术参数

    产品型号:mmbt5401lt1g类型:pnp集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):150集电极最大电流ic(max)(ma):500直流电流增益hfe最小值(db):50直流电流增益hfe最大值(db):-最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):3sot-23/-55~150价格/1片(套):¥.30 来源:零八我的爱 ...

mmbt5401lt1g的相关型号: