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MMBT5962_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose最大直流电集电极电流0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min450 at 10 uA at 5 V配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流0.1 A最小工作温度- 55 C
功率耗散350 mW

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