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MMBT6515_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
发射极 - 基极电压 VEBO：4 V
最大直流电集电极电流：0.2 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose	直流集电极/Base Gain hfe Min	250 at 2 mA at 10 V
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	TSOP-6
封装	Reel	集电极连续电流	- 1 A
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	540 mW

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