描述 | VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR | 晶体管类型 | NPN |
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电压 - 集射极击穿(最大值) | 15V | 频率 - 跃迁 | 600MHz |
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) | - | 增益 | - |
功率 - 最大值 | 225mW | 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 3mA,1V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50mA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |