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MMBTH24_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 8 mA at 10 V
配置Single最大工作频率400 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流0.05 A最小工作温度- 55 C
功率耗散0.3 W

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