您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 单二极管/齐纳 > mmbz5231elt1g
  • MMBZ5231ELT1G

MMBZ5231ELT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT-23电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电5?A @ 2V容差±5%
功率 - 最大225mW阻抗(最大)(Zzt)17 欧姆
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装Digi-Reel?
工作温度-55°C ~ 150°C其它名称MMBZ5231ELT1GOSDKR

“MMBZ5231ELT1G”技术资料

  • MMBZ5231ELT1G的技术参数

    产品型号:mmbz5231elt1g齐纳击穿电压vz最小值(v):4.840齐纳击穿电压vz典型值(v):5.100齐纳击穿电压vz最大值(v):5.360@izt(ma):20齐纳阻抗zzt(ω):17最大功率pmax(w):0.225芯片标识:8f封装/温度(℃):3sot-23/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱 ...

mmbz5231elt1g的相关型号: