您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 单二极管/齐纳 > mmbz5237elt1g
  • MMBZ5237ELT1G

MMBZ5237ELT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT-23电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电3?A @ 6.5V容差±5%
功率 - 最大225mW阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装带卷 (TR)
工作温度-55°C ~ 150°C其它名称MMBZ5237ELT1GOS

“MMBZ5237ELT1G”技术资料

  • MMBZ5237ELT1G的技术参数

    产品型号:mmbz5237elt1g齐纳击穿电压vz最小值(v):7.790齐纳击穿电压vz典型值(v):8.200齐纳击穿电压vz最大值(v):8.610@izt(ma):20齐纳阻抗zzt(ω):8最大功率pmax(w):0.225芯片标识:bf9封装/温度(℃):3sot-23/-65~150价格/1片(套):¥.30 来源:零八我的爱 ...

mmbz5237elt1g的相关型号: