| 描述 | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A，3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 70 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 630pF @ 24V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MMDF2C03HDR2GOSMMDF2C03HDR2GOS-NDMMDF2C03HDR2GOSTR |
产品型号:mmdf2c03hdr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):70/200最大漏极电流id(on)(a):4.100通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:2a,30v,so-8,n/p沟道功率双mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin ...
