| 描述 | TRANSISTOR NPN 40V 200MW SOT563 | 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 200mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 300mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 10mA，1V | 功率 - 最大 | 200mW |
| 频率 - 转换 | 300MHz | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MMDT3904VTPMSTR |
