您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > mmdt5551-t

MMDT5551-T

制造商：-
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V

发布求购更多供应商

产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) 200mA 160V	最大直流电集电极电流	0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	80 at 1 mA at 5 V	配置	Dual
最大工作频率	300 MHz	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOT-363
封装	Reel	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	200 mW	工厂包装数量	3000

mmdt5551-t的相关型号：