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  • MMFT960T1G

MMFT960T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1000$0.23171
  • 2000$0.21127
  • 5000$0.19764
  • 10000$0.18401
  • 25000$0.17446
描述MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.7 欧姆 @ 1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs3.2nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds65pF @ 25V
功率 - 最大800mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223
包装带卷 (TR)其它名称MMFT960T1GOSTR

“MMFT960T1G”技术资料

  • MMFT960T1G的技术参数

    产品型号:mmft960t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):1.700最大漏极电流id(on)(a):0.300通道极性:n沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.3a,60v,sot223,n沟道功率mosfet价格/1片(套):¥2.74 来源:xiangxueqin ...

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