| 描述 | MOSFET N-CH | IGBT 类型 | PT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 400 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 1000 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 1.5V @ 15V，100A |
| 功率 - 最大值 | 1000 W | 开关能量 | 2.7mJ（开），5mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 585 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 44ns/250ns | 测试条件 | 480V，100A，1 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 66 ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 24-PowerSMD，21 引线 |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
