| 描述 | MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 46nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1400pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | MMSF3P02HDR2GOSMMSF3P02HDR2GOS-NDMMSF3P02HDR2GOSTR |
产品型号:mmsf3p02hdr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):95最大漏极电流id(on)(a):5.600通道极性:p沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:3a,20v,so-8,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin ...
