您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > mmun2216lt1g
  • MMUN2216LT1G

MMUN2216LT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.02295
  • 6000$0.0207
  • 15000$0.018
  • 30000$0.0162
  • 75000$0.0144
描述TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)160 @ 5mA,10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 1mA,10mA电流 - 集电极截止(最大)500nA
频率 - 转换-功率 - 最大400mW
安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)包装带卷 (TR)
其它名称MMUN2216LT1GOSMMUN2216LT1GOS-NDMMUN2216LT1GOSTR

“MMUN2216LT1G”技术资料

  • MMUN2216LT1G的技术参数

    产品型号:mmun2216lt1g最小反向电压vr(v):30最大二极管电容ct@v(max)( pf):2.800最大二极管电容ct@vv:25正向电压vf最大值(v):-最大反向漏电流ir (max)( na):-最大反向漏电流ir对应的电压vr(v):-类型:固态调谐二极管封装/温度(℃):sod323/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱 ...

mmun2216lt1g的相关型号: