描述 | DIODE GEN PURP 600V 3A TO263 | 技术 | 标准 |
---|---|---|---|
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 600 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 3A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.75 V @ 3 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 50 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 μA @ 600 V |
不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 供应商器件封装 | TO-263 |
工作温度 - 结 | -40°C ~ 150°C |
【Freescale Semiconductor】MPL115A1,IC BAROMETER SPI DGTL MINI 8LGA
【Freescale Semiconductor】MPL115A1T1,IC BAROMETER SPI DGTL MINI 8-LGA
【Freescale Semiconductor】MPL115A1T2,IC BAROMETER SPI DGTL MINI 8LGA
【Freescale Semiconductor】MPL115A2,IC BAROMETER I2C DGTL MINI 8LGA
【Freescale Semiconductor】MPL115A2T1,IC BAROMETER I2C DGTL MINI 8-LGA
【Freescale Semiconductor】MPL115A2T2,IC BAROMETER I2C DGTL MINI 8LGA