| 描述 | Transistors Darlington 500mA 60V NPN | 发射极 - 基极电压 VEBO | 10 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 60 V | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 (TO-226) | 封装 | Ammo |
| 集电极连续电流 | 0.5 A | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10000 |
| 最小工作温度 | - 55 C | 工厂包装数量 | 2000 |
【ROHM Semiconductor】MPSA27T93,Transistors Bipolar (BJT) TRANS
【Fairchild Semiconductor】MPSA28_D26Z,TRANS DARL NPN 80V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA28_D27Z,TRANS DARL NPN 80V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA28_D75Z,TRANS DARL NPN 80V 800MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA28_Q,Transistors Darlington NPN Transistor Darlington