| 描述 | 达林顿晶体管 PNP GP Darl | 发射极 - 基极电压 VEBO | 10 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 30 V | 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92 | 封装 | Box |
| 集电极连续电流 | 0.1 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 5000 |
| 最小工作温度 | - 65 C | Standard Pack Qty | 2500.0 |
【Fairchild Semiconductor】MPSA63_D26Z,TRANS DARL PNP 30V 1.2A TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA63_D26Z_Q,Transistors Darlington PNP Transistor Darlington
【Fairchild Semiconductor】MPSA63_D27Z,TRANS DARL PNP 30V 1.2A TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA63_D74Z,TRANS DARL PNP 30V 1.2A TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA63_D75Z,TRANS DARL PNP 30V 1.2A TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSA63_Q,Transistors Darlington PNP Transistor Darlington