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  • MPSH10PSTZ

MPSH10PSTZ

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
  • 最大直流电集电极电流:0.025 A
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) -直流集电极/Base Gain hfe Min60 at 4 mA at 10 V
配置Single最大工作频率650 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Box
最小工作温度- 55 C功率耗散500 mW

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