| 描述 | 射频双极小信号晶体管 PNP RF Transistor | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 20 V |
|---|---|---|---|
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 3 V | 集电极连续电流 | 50 mA |
| 功率耗散 | 350 mW | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92 | 封装 | Bulk |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 60 | 最小工作温度 | - 55 C |
| 安装风格 | Through Hole | 工厂包装数量 | 2000 |
【Fairchild Semiconductor】MPSH81_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP RF Transistor
【Fairchild Semiconductor】MPSL01,TRANSISTOR NPN GEN PURP TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSL01_D26Z,TRANS GP NPN 120V 200MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSL01_D26Z_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN General Purpose Transistor
【Fairchild Semiconductor】MPSL01_D27Z,TRANS GP NPN 120V 200MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSL01_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose