| 描述 | TRANSISTOR NPN GEN PURP TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1.2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 950mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 250MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
