| 描述 | Transistors Darlington 1A 50V NPN | 发射极 - 基极电压 VEBO | 12 V |
|---|---|---|---|
| 集电极—基极电压 VCBO | 60 V | 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA | 功率耗散 | 1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 (TO-226) | 封装 | Reel |
| 集电极连续电流 | 1 A | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 25000, 15000, 4000 |
| 最小工作温度 | - 55 C | 工厂包装数量 | 2000 |
【ON Semiconductor】MPSW45AZL1,TRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW45AZL1G,TRANS NPN DARL BIPO 1W 50V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW45RLRE,TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW45RLREG,TRANS NPN DARL BIPO 1W 40V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW51,Transistors Bipolar (BJT) 1A 40V 1W PNP