| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 at 50 mA at 1 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作频率 | 50 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-226 | 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1 W |
【ON Semiconductor】MPSW56RLRAG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW56RLRP,Transistors Bipolar (BJT) 500mA 80V 1W PNP
【ON Semiconductor】MPSW56RLRPG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW63RLRA,TRANS PNP DARL BIPO 1W 30V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW63RLRAG,TRANS PNP DARL BIPO 1W 30V TO-92