| 描述 | BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS | 技术 | LDMOS |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | 频率 | 860MHz |
| 增益 | 21dB | 电压 - 测试 | 50 V |
| 额定电流（安培） | 20μA | 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 1.4 A | 功率 - 输出 | 140W |
| 电压 - 额定 | 115 V | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | NI-1230-4S | 供应商器件封装 | NI-1230-4S |
【Freescale Semiconductor】MRFG35002N6AT1,TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
【Freescale Semiconductor】MRFG35002N6R5,TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET
【Freescale Semiconductor】MRFG35002N6T1,TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
【Freescale Semiconductor】MRFG35003ANR5,TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
【Freescale Semiconductor】MRFG35003ANT1,TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
【Freescale Semiconductor】MRFG35003M6R5,MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
【Freescale Semiconductor】MRFG35003M6T1,MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
【Freescale Semiconductor】MRFG35003MT1,MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
