| 描述 | RH MOSFET _ U3 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 210 毫欧 @ 7.5A， 12V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 50 nC @ 12 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1980 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | U3（SMD-0.5） |
| 封装/外壳 | 3-SMD，无引线 |
