| 描述 | PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | 二极管配置 | 1 对共阴极 |
|---|---|---|---|
| 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 200A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.8 V @ 200 A |
| 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 800 μA @ 1200 V | 工作温度 - 结 | -40°C ~ 175°C |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | D1P |
