| 描述 | PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3 | 技术 | 碳化硅（SiC） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（相角） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 495A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.2 毫欧 @ 240A，20V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 6mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 1392nC @ 20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 18.1pF @ 1000V |
| 功率 - 最大值 | 2.031kW（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
| 供应商器件封装 | D3 |
