您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > msd1819a-rt1g
  • MSD1819A-RT1G

MSD1819A-RT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.02907
  • 6000$0.02622
  • 15000$0.0228
  • 30000$0.02052
  • 75000$0.01824
描述TRANS NPN GP BIPO 50V SOT-323电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)210 @ 2mA,10V
功率 - 最大150mW频率 - 转换-
安装类型表面贴装封装/外壳SC-70,SOT-323
供应商设备封装SC-70-3(SOT323)包装带卷 (TR)
其它名称MSD1819A-RT1G-NDMSD1819A-RT1GOSTR

“MSD1819A-RT1G”技术资料

  • MSD1819A-RT1G的技术参数

    产品型号:msd1819a-rt1g类型:npn集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):50集电极最大电流ic(max)(ma):100直流电流增益hfe最小值(db):210直流电流增益hfe最大值(db):340最小电流增益带宽乘积ft(mhz):-封装/温度(℃):3sot-323/-55~150价格/1片(套):¥.24 来源:零八我的爱 ...

msd1819a-rt1g的相关型号: