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  • MSJP11N65-BP

MSJP11N65-BP

  • 制造商:-
  • 现有数量:4,926现货
  • 价格:1 : ¥24.88000管件
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 11A TO220ABFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)380 毫欧 @ 5.5A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)901 pF @ 50 VFET 功能-
功率耗散(最大值)78W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB(H)
封装/外壳TO-220-3

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