| 描述 | IC DRAM 16MBIT 60NS 26TSOP | 存储器类型 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 存储容量 | 16M（4M x 4） | 速度 | 60ns |
| 接口 | 并联 | 电源电压 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C | 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | KBU | 包装 | 盒 |
【ROHM Semiconductor】MSM5117405F-60J3-7,IC DRAM 16MBIT 60NS 26SOJ
【ROHM Semiconductor】MSM5117405F-60T3-DK,IC DRAM 16MBIT 60NS 26TSOP
【ROHM Semiconductor】MSM5118160F-60J3-7,IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
【ROHM Semiconductor】MSM5118160F-60T3-K-7,IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
【ROHM Semiconductor】MSM5118160F-60T3K-MT,IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
【ROHM Semiconductor】MSM5118165F-60J3-7,IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
【ROHM Semiconductor】MSM5118165F-60T3-K-7,IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP