| 描述 | IC DRAM 16MBIT PARALLEL 26TSOP | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | DRAM |
| 存储容量 | 16Mb | 存储器组织 | 4M x 4 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 110ns | 访问时间 | 30 ns |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 26-SOIC（0.295"，7.50mm 宽），24 引线 |
| 供应商器件封装 | 26-TSOP |
【ROHM Semiconductor】MSM51V17405F-60T3DK,IC DRAM 16MBIT 60NS 26TSOP
【ROHM Semiconductor】MSM51V17405F-60T3-K7,IC DRAM 16MBIT 60NS 26TSOP
【ROHM Semiconductor】MSM51V18160F-60T3-K7,IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
【ROHM Semiconductor】MSM51V18165F-60J3-7,IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ
【ROHM Semiconductor】MSM51V18165F-60T3KMT,IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP
