| 描述 | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | 二极管配置 | 1 对串联 |
|---|---|---|---|
| 技术 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 800 V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） | 200A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1 V @ 200 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | - |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10 μA @ 800 V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 三塔 |
| 供应商器件封装 | 三塔 |
