描述 | IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA | 存储器类型 | 非易失性,易失性 |
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存储器格式 | FLASH,RAM | 技术 | 闪存 - NAND,移动 LPDRAM |
存储容量 | 1Gb(NAND),512Mb(LPDRAM) | 存储器组织 | 128M x 8(NAND),32M x 16(LPDRAM) |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 200 MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | - |
电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 130-VFBGA |
供应商器件封装 | 130-VFBGA(8x9) |
【Micron Technology Inc】MT29C1G12MAACVAML-5 IT,IC FLASH NAND 1GB 153VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29C1G12MAACYAKD-5 IT,IC FLASH NAND 1GB 137TFBGA
【Micron Technology Inc】MT29C1G12MAACYAMD-5 IT,IC FLASH NAND 1.5GB 130VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29C1G12MAACYAML-5 IT,IC FLASH NAND 1.5GB 153VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT,IC FLASH NAND 1.5GB 107VFBGA
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR,IC FLASH RAM 1GBIT PAR 137TFBGA