| 描述 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL DIE | 存储器类型 | 非易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | 闪存 | 技术 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 1Gb | 存储器组织 | 128M x 8 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | - | 访问时间 | - |
| 电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
【Micron Technology Inc】MT29F1G08ABCHC:C,IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F1G08ABCHC:C TR,IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F1G08ABCHC-ET:C,IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F1G08ABCHC-ET:C TR,IC FLASH 1GBIT 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F1G16ABBDAH4:D,IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F1G16ABBDAH4-IT:D,IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA
