描述 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE | 存储器类型 | 非易失 |
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存储器格式 | 闪存 | 技术 | 闪存 - NAND |
存储容量 | 2Gb | 存储器组织 | 256M x 8 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
写周期时间 - 字,页 | - | 访问时间 | - |
电压 - 供电 | 1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 模具 |
供应商器件封装 | 模具 |
【Micron Technology Inc】MT29F2G08ABCWP:C TR,IC FLASH 2GBIT 48TSOP
【Micron Technology Inc】MT29F2G08ABDHC:D TR,IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F2G08ABDHC-ET:D TR,IC FLASH 2GBIT 63VFBGA
【Micron Technology Inc】MT29F2G08ABDWP:D,IC FLASH 2GBIT 48TSOP
【Micron Technology Inc】MT29F2G08ABDWP:D TR,IC FLASH 2GBIT 48TSOP