| 描述 | MASSFLASH/LPDDR4 16G | 存储器类型 | 非易失性，易失性 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | FLASH，RAM | 技术 | FLASH - NAND（SLC），DRAM - LPDDR4 |
| 存储容量 | 8Gb | 存储器组织 | 1G x 8 |
| 存储器接口 | ONFI | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 30ns | 访问时间 | 25 ns |
| 电压 - 供电 | 1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 149-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 149-VFBGA（8x9.5） |
