| 描述 | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 6V | 频率 - 跃迁 | 10GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz | 增益 | 12.5dB |
| 功率 - 最大值 | 800mW | 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 30mA，5V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | UFM |
