| 描述 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR |
| 存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 128M x 4 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 200 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 700 ps |
| 电压 - 供电 | 2.5V ~ 2.7V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 66-TSSOP（szeroko?? 0，400"，10，16mm） |
| 供应商器件封装 | 66-TSOP |
【Micron Technology Inc】MT46V128M4P-6T:D,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4P-6T:D TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4P-6T:F,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4P-6T:F TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4P-75:D,IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4P-75:D TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4TG-5B:D TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V128M4TG-5B:F,IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 66TSOP
