描述 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR |
存储容量 | 256Mb | 存储器组织 | 16M x 16 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 200 MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns | 访问时间 | 700 ps |
电压 - 供电 | 2.5V ~ 2.7V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm) |
供应商器件封装 | 66-TSOP II |
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-5B:F TR,IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-5G:F,IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-5G:F TR,IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-6T IT:F TR,IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-6T L:F TR,IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-6T:F TR,IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 66TSOP
【Micron Technology Inc】MT46V16M16TG-75 IT:F,IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOP