描述 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR |
存储容量 | 512Mb | 存储器组织 | 64M x 8 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 200 MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns | 访问时间 | 700 ps |
电压 - 供电 | 2.5V ~ 2.7V | 工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 60-TFBGA |
供应商器件封装 | 60-FBGA(8x12.5) |
【Micron Technology Inc】MT46V64M8FN-5B:D TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA
【Micron Technology Inc】MT46V64M8FN-5B:F TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA
【Micron Technology Inc】MT46V64M8FN-6 IT:F,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA
【Micron Technology Inc】MT46V64M8FN-6 IT:F TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA
【Micron Technology Inc】MT46V64M8FN-6:D TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA
【Micron Technology Inc】MT46V64M8FN-6:F TR,IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA